路透：長江存儲計劃第四座 NAND 廠採購 60–70% 國產設備
路透引述兩名知情人士報導，長江存儲計劃第四座工廠至少 60%、最多可能達 70% 的設備採購自國內供應商。該廠規劃設於武漢，預計 2027 年動工，將生產 300 層以上的 NAND 晶片，主要應用於資料中心和 AI。與供應商的洽談仍處於初步階段，尚未下達正式訂單，採購比例仍是規劃目標。
路透引述兩名知情人士報導，長江存儲計劃第四座工廠至少 60%、最多可能達 70% 的設備採購自國內供應商。該廠規劃設於武漢，預計 2027 年動工，將生產 300 層以上的 NAND 晶片，主要應用於資料中心和 AI。與供應商的洽談仍處於初步階段，尚未下達正式訂單，採購比例仍是規劃目標。